特許

J-GLOBAL ID：200903074158121971

半導体装置およびその製造方法

発明者： 久本 大 ,  梅田 一徳 ,  片山 弘造 ,  永井 亮 ,  中村 ▲吉▼孝 ,  小林 伸好
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-048326
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263676
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】ホットキャリア耐圧に優れ、かつ、寄生抵抗が小さい半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】低濃度不純物拡散層304,314による電界緩和領域を持つMOSFETにおいて、低濃度不純物拡散層304,314より深く高濃度不純物拡散層305,315を形成し、高濃度不純物層と低濃度不純物層に接する金属層306,316,505,515を有する構造にする。また、ゲート500,510をマスクに低濃度不純物拡散層304,314と、高濃度不純物拡散層305,315を形成する工程と、基板100をエッチングする工程と、メタル層を堆積する工程を有する製造方法をとる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたソース,ドレイン領域,前記ソース,ドレイン領域間の前記半導体基板の表面に絶縁膜を介して電界効果を及ぼすゲート電極を含む絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、前記ソース,ドレイン領域が低濃度不純物拡散層と高濃度不純物拡散層を含み、前記低濃度不純物層と前記高濃度不純物層に接するメタル層を持ち、前記高濃度不純物拡散層の少なくとも一部が、前記低濃度拡散層の下に配置されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (4件)：

H01L 29/78 301 X ,  H01L 27/08 321 E ,  H01L 27/08 321 F ,  H01L 29/78 301 G