半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-232746
公開番号（公開出願番号）：特開平8-096589
出願日： 1994年09月28日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】書換回数制限がある不揮発性メモリ素子を用いた半導体記憶装置の装置寿命の延長する。【構成】データ記録領域を、独立に書換可能な複数の記憶ブロックに分け、通常運用時にデータ記録に使用するアクティブブロックと、通常運用時には使用しない予備ブロックとに割り当てる。ブロック毎の、または全ブロックでの書換回数を計数し、予め設定された回数毎にアクティブブロックの1つを予備ブロックと交替することで書換頻度を平均化する。交替する予備ブロックは、最も過去に予備となった、または、最も書換回数の少ないブロックを選定する。

請求項（抜粋）：

書換回数制限がある不揮発性メモリ素子を用いた半導体記憶装置であって、独立に書換可能な複数の記憶ブロックで構成され、通常運用時に前記複数の記憶ブロックをデータ記録の対象となるアクティブブロックと、前記通常運用時にはデータ記録に使用しない予備ブロックとに割り当てたデータ記憶部と、外部に対するデータ入出力管理及び前記データ記憶部に対するデータ入出力管理を行うデータ制御部と、前記データ制御部から入力された論理アドレスに基づき前記アクティブブロックの一つを指定する物理アドレスデータを算出して前記データ記憶部のブロックを選択するブロック選択部と、前記アクティブブロック及び前記予備ブロックを管理し、前記ブロック選択部で選択されるブロックを前記予備ブロックの一つに変更することが可能なブロック管理部とを有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 , G11C 29/00 301

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平4-222997
情報処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-269957 出願人：株式会社日立製作所

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