特許
J-GLOBAL ID：200903074166894890
電解質膜
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
尾崎 雄三
, 梶崎 弘一
, 谷口 俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-355480
公開番号（公開出願番号）：特開2008-166159
出願日： 2006年12月28日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：
【課題】電極との密着性が良好であり、プロトン伝導性が低下することのない電解質膜及びその製造方法を提供すること。【解決手段】プロトン伝導性基としてスルホン酸基を有するグラフトポリマーを含む電解質膜において、厚さ方向に4等分したとき、各外部領域におけるスルホン酸基の含有量は各内部領域におけるスルホン酸基の含有量よりも多く、 2つの外部領域におけるスルホン酸基の分布量の最大値をそれぞれA1及びA2、2つの内部領域におけるスルホン酸基の分布量の最大値と最小値の平均値をそれぞれB1及びB2としたとき下記式を満たし、 1.5≦(A1+A2)/(B1+B2)≦8 かつイオン交換容量が0.5〜2meq/gであることを特徴とする電解質膜。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
プロトン伝導性基としてスルホン酸基を有するグラフトポリマーを含む電解質膜において、厚さ方向に4等分したとき、各外部領域におけるスルホン酸基の含有量は各内部領域におけるスルホン酸基の含有量よりも多く、
2つの外部領域におけるスルホン酸基の分布量の最大値をそれぞれA1及びA2、2つの内部領域におけるスルホン酸基の分布量の最大値と最小値の平均値をそれぞれB1及びB2としたとき下記式を満たし、
1.5≦(A1+A2)/(B1+B2)≦8
かつイオン交換容量が0.5〜2meq/gであることを特徴とする電解質膜。
IPC (3件)：
H01M 8/02
, H01M 8/10
, H01B 1/06
H01M8/02 P
, H01M8/10
, H01B1/06 A
5G301CD01
, 5G301CE01
, 5H026AA06
, 5H026AA08
, 5H026BB10
, 5H026CX05
, 5H026EE19
, 5H026HH00
