半導体素子用基板およびその製造方法およびその半導体素子用基板を用いた半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柳田征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-292112
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111173
出願日： 1999年10月14日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】欠陥の少ない、平坦な半導体素子用基板を平易な工程で製造する。【解決手段】 6H-SiC基板11上に、GaNバッファ層12、GaN層13を成長させる。10μm程度の周期で、ドライエッチングによりSiC基板11上面まで除去して、ラインアンドスペースのパターンを形成する。次に、GaN層16を選択成長させる。6H-SiC基板17をGaN層16に接触させて固定し、ウェハー接着を行う。次に、6H-SiC基板11を研磨やエッチングなどにより除去し、GaN層13およびGaN層16を露出させる。ライン状に残されたGaN層13とGaN層16とを、SiC基板17の上面まで除去した後、GaN層21を選択成長させる。GaN層16のライン部の上にSiO2膜22を形成し、その上にGaN層23を選択成長させる。SiO2膜22のスペース部の上にSiO2膜24を形成し、その上にGaN層25を選択成長させる。

請求項（抜粋）：

第一ベース基板上に、低温成長法により形成されるAlNまたはGaNからなるバッファ層を介して第一のIII族窒素化合物層を形成する第一の工程と、前記バッファ層と前記第一のIII族窒素化合物層からなる結晶層を、ストライプ状に前記第一ベース基板上面まで、あるいは前記ベース基板の一部まで除去して、前記結晶層がライン状に残されてなるライン部と該ライン部間に形成されたスペース部とからなるラインアンドスペースのパターンを形成し、その上に、第二のIII族窒素化合物層を、前記ライン部をIII族窒素化合物の結晶の成長核にして、前記ラインアンドスペースのパターンがなくなるまで形成する第二の工程と、前記第二のIII族窒素化合物層の上に、前記第一ベース基板と同じ材料からなる第二ベース基板を接着する第三の工程と、前記第一ベース基板の裏面から少なくとも該第一ベース基板の厚さを除去する第四の工程と、前記第二ベース基板を下にして、前記ライン部が前記第四の工程により除去されていない場合は、前記ライン部および前記ライン部の下方の第二のIII族窒素化合物層を、前記ライン部が前記第四の工程により除去されている場合は、前記ライン部の下方の第二のIII族窒素化合物層を、少なくとも該ライン部の幅で前記第二ベース基板が露出するまで、あるいは前記第二ベース基板の一部まで除去して、前記第二のIII族窒素化合物層がライン状に残されてなるライン部と該ライン部間に形成されたスペース部とからなるラインアンドスペースのパターンを形成し、その上に、第三のIII族窒素化合物層を、前記第二のIII族窒素化合物のライン部をIII族窒素化合物の結晶の成長核にして、前記第二のIII族窒素化合物層のラインアンドスペースのパターンがなくなるまで形成する第五の工程を含むことを特徴とする半導体素子用基板の製造方法。

Fターム (5件)：

5F073CA02 , 5F073CB04 , 5F073CB07 , 5F073DA24 , 5F073DA35

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