セラミックス多層基板

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井内龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-314875
公開番号（公開出願番号）：特開平8-169776
出願日： 1994年12月19日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：

【要約】【構成】多層基板の最表層81a、81nに形成されるスルーホール11における外側部11aの径dよりも、内側部11bの径Dの方が大きく設定されているセラミックス多層基板10。【効果】スルーホール11、12と導体部13、14との間に隙間が生じても、基板外部側の径の小さいスルーホール部分11aと、基板内部側の端部面11d、12aとに挟まれ、導体部13、14の上下方向移動が規制される。このため、導体部13,14と配線層82a〜82n-1との切断や、導体部13、14の抜け落ち、ICチップ90の脱落を防止し、信頼性を高めることができる。また導体部13、14の表面に形成されていたパッドを省略し、コストを削減すると共に、導体部13、14間の距離を短くして高密度実装及び小形化を図ることができる。

請求項（抜粋）：