特許
J-GLOBAL ID：200903074179464151
半導体発光装置およびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-010404
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224519
出願日： 1993年01月26日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】 光伝送用光源として重要である半絶縁性高抵抗層埋め込み構造半導体レーザ等の半導体発光装置およびその製造方法を提供する。【構成】 半絶縁性高抵抗結晶層を電流阻止層7としてなると共に、導電性クラッド層4,および電極層5としてなる導電型半導体層の一部の幅が、素子上部に向かって広がる構造を備えた半導体発光装置において、該導電型半導体層のうち、メサストライプ11を構成する部分と電流阻止層7との界面が素子上面において露出せず、溝12内に形成されたp型InPクラッド層4とp型InGaAs電極層5からなる導電型半導体層の一部によって被覆されている。
請求項（抜粋）：
半絶縁性高抵抗結晶層を電流阻止層としてなると共に、導電性クラッド層,および電極層としてなる導電型半導体層の一部の幅が、素子上部に向かって広がる構造を備えた半導体発光装置において、該導電型半導体層のうち、メサストライプを構成する部分と電流阻止層との界面が素子上面において露出せず、該導電型半導体層の一部によって被覆されていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
