特許

J-GLOBAL ID：200903074182640769

半導体装置およびその製造方法

発明者： 井伊 由子 ,  松浦 正純
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-324607
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055387
出願日： 1991年12月09日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、ポイズンドビアが発生しないように改良された半導体装置を得ることを最も主要な特徴とする。【構成】 第1の導電体パターンがその上に形成された半導体基板と、上記第1の導電体パターンを覆うように上記半導体基板の上に設けられた第1の絶縁膜と、上記第1の絶縁膜の凹凸表面を平坦化させるように、該第1の絶縁膜の上に塗布された塗布膜と、を備える。上記塗布膜の表面中に、厚さが10Å以上の、シリコンと窒素の結合を含む窒化層が設けられている。上記窒化層を含む上記塗布膜の上に第2の絶縁膜が設けられる。上記第1の絶縁膜、上記塗布膜および上記第2の絶縁膜には、上記第1の導電体パターンの表面の一部を露出させるためのビアホールが、これらの膜を貫通するように設けられている。当該装置は、さらに、上記ビアホールに、その一部が埋め込まれるように設けられ、それによって上記第1の導電体パターンに接続された第2の導電体パターンを備える。

請求項（抜粋）：

第1の導電体パターンがその上に形成された半導体基板と、前記第1の導電体パターンを覆うように前記半導体基板の上に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の凹凸表面を平坦化させるように、該第1の絶縁膜の上に塗布された塗布膜と、前記塗布膜の表面中に設けられ、厚さが10Å以上の、シリコンと窒素の結合を含む窒化層と、前記窒化層を含む前記塗布膜の上に設けられた第2の絶縁膜と、を備え、前記第1の絶縁膜、前記塗布膜および前記第2の絶縁膜には、前記第1の導電体パターンの表面の一部を露出させるためのビアホールが、これらの膜を貫通するように設けられており、当該装置は、さらに、前記ビアホールに、その一部が埋め込まれるように設けられ、それによって前記第1の導電体パターンに接続された第2の導電体パターンを備える、半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-154536
  
• 特開平1-206631
  
• 特開平2-106948