特許
J-GLOBAL ID：200903074183175660
化合物太陽電池およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-123328
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327889
出願日： 2003年04月28日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：
【課題】電気エネルギへの変換効率の向上が図られる化合物太陽電池とその製造方法を提供する。【解決手段】GaAs基板1の表面に、エピタキシャル成長法によってトップセルTとなる各層が形成される。そのトップセルT上にボトムセルBとなる各層が形成される。次に、ボトムセルBの表面に裏面電極9が形成される。次に、ワックスによりガラス板と裏面電極とが張り合わされる。次に、ガラス基板に支持されたGaAs基板1をアルカリ溶液に浸漬することによって、GaAs基板1が除去される。その後、トップセルTの表面に表面電極が形成される。最後に、ガラス基板13が裏面電極から分離される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
単結晶による少なくとも1つのpn接合層を有し、太陽光線が入射するセル本体と、
前記セル本体において、太陽光線が入射する側とは反対側の面に直接形成され、前記セル本体を支持する所定の厚さを有する第1電極部と、
前記セル本体において、太陽光線が入射する側の面に形成された第2電極部とを備えた、化合物太陽電池。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F051AA08
, 5F051CB10
, 5F051CB21
, 5F051CB27
, 5F051CB30
, 5F051DA03
, 5F051DA19
, 5F051FA06
, 5F051FA16
, 5F051HA03
