特許

J-GLOBAL ID：200903074189919939

化合物半導体装置

発明者： 二階堂 淳一朗
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通カンタムデバイス株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-232664
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074813
出願日： 1991年09月12日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 化合物半導体装置に関し,性能を上げたショットキーバリア型電界効果トランジスタ(MESFET)の提供を目的とする。【構成】 化合物半導体基板1と,化合物半導体基板1上に形成されたバッファ層2a, 2bと, バッファ層2a, 2b上に形成さた動作層3a, 3b, 3cと, 動作層3a, 3b, 3c上に形成され,動作層3a, 3b, 3cとショットキー接合するゲート電極5と,動作層3a, 3b, 3c上に形成されかつゲート電極5の両側に配置されたソース電極6及びドレイン電極7とを有する化合物半導体装置であって,動作層3a, 3b, 3cはIII-V族化合物半導体層からなり,その組成はバッファ界面からショットキー接合界面に向かってバンドギャップエネルギーが大きくなるように変化し,かつその不純物ドーピング濃度はバッファ界面からショットキー接合界面に向かって小さくなるように変化している化合物半導体装置により構成する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板(1) と,該化合物半導体基板(1) 上に形成されたバッファ層(2a, 2b)と,該バッファ層(2a, 2b)上に形成さた動作層(3a, 3b, 3c)と,該動作層(3a, 3b, 3c)上に形成され,該動作層(3a,3b, 3c)とショットキー接合するゲート電極(5) と,該動作層(3a, 3b, 3c)上に形成されかつ該ゲート電極(5)の両側に配置されたソース電極(6) 及びドレイン電極(7) とを有する化合物半導体装置であって,該動作層(3a, 3b, 3c)はIII-V族化合物半導体層からなり,その組成はバッファ界面からショットキー接合界面に向かってバンドギャップエネルギーが大きくなるように変化し,かつその不純物ドーピング濃度はバッファ界面からショットキー接合界面に向かって小さくなるように変化していることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-171167
  
• 特開昭64-057677
  
• 特開昭55-123172