特許

J-GLOBAL ID：200903074198074127

メモリ試験方法及び装置並びに記憶媒体

発明者： 松井 範幸
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-186345
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021193
出願日： 1998年07月01日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 本発明はメモリ試験方法及び装置並びに記憶媒体に関し、簡単、且つ、安価な構成のメモリ試験装置を用いてメモリの試験を高速に行うことができ、DDR型のメモリ等の高速メモリの試験も高速に行うことを可能とすることを目的とする。【解決手段】 テストデータをメモリに書き込んで読み出すことでメモリを試験するメモリ試験方法において、クロックに同期して順次読み出されるデータのうち、連続して読み出される2つのデータのうち一方を期待データとして他方と比較する比較ステップと、比較ステップで得られる比較結果に基づいてメモリの不良を判定する判定ステップとを含むように構成する。

請求項（抜粋）：

テストデータをメモリに書き込んで読み出すことでメモリを試験するメモリ試験方法であって、クロックに同期して順次読み出されるデータのうち、連続して読み出される2つのデータのうち一方を期待データとして他方と比較する比較ステップと、該比較ステップで得られる比較結果に基づいてメモリの不良を判定する判定ステップとを含む、メモリ試験方法。

IPC (2件)：

G11C 29/00 651 ,  G01R 31/28

FI (3件)：

G11C 29/00 651 S ,  G01R 31/28 B ,  G01R 31/28 D

Fターム (14件)：

2G032AA07 ,  2G032AB00 ,  2G032AC00 ,  2G032AE07 ,  2G032AE08 ,  2G032AG01 ,  2G032AG06 ,  2G032AG07 ,  2G032AL00 ,  2G032AL16 ,  5L106AA01 ,  5L106DD03 ,  5L106DD22 ,  5L106GG03