特許
J-GLOBAL ID：200903074205257798
半導体材料の薄膜を製造する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小田島 平吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-325037
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020945
出願日： 1981年04月06日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 該光学的透過支持体上の単結晶材料に集積回路を形成する。【構成】 支持体上に結晶マスクを形成し、該結晶マスク上に単結晶半導体材料を形成し、マスクを有する支持体から光学的透過支持体上に薄膜単結晶半導体材料を移送し、該光学的透過支持体上の単結晶材料に集積回路を形成して、半導体材料の薄膜を製造する。
請求項（抜粋）：
実質的に単結晶である半導体材料の薄膜を製造する方法において、支持体上に結晶マスクを形成すること、該結晶マスク上に単結晶半導体材料を形成すること、マスクを有する支持体から光学的透過支持体上に薄膜単結晶半導体材料を移送すること、該光学的透過支持体上の単結晶材料に集積回路を形成することを含むことを特徴とする半導体材料の薄膜を製造する方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, C30B 25/02
, H01L 31/04
