特許

J-GLOBAL ID：200903074205504124

光半導体装置の製造方法

発明者： 小串 昌弘 ,  坪井 義治
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (3件)： 大胡 典夫 ,  竹花 喜久男 ,  宇治 弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-283576
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119838
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】攪拌しながら塗布する必要がなく、封止樹脂中の粒子の分散・均一性を向上することが可能な光半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】凹状の熱可塑性樹脂1の内底面に露出するようにリードフレーム2をインサート成形し、リードフレーム2上にLEDチップ3を載置し、電気的に接続する工程と、リードフレーム2上に、第1の封止樹脂5を塗布する工程と、第2の封止樹脂5’に所定量の粒子を混合し、粒子の沈降が発生しない粒子濃度に調製し、第1の封止樹脂上に塗布してLEDチップ3を封止する工程と、第1の封止樹脂5中に、粒子を沈降させる工程を備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

リードフレームを、凹状の熱可塑性樹脂の内底面に露出するようにインサート成形する工程と、 前記リードフレーム上にLEDチップを載置し、このLEDチップおよび前記リードフレーム間を電気的に接続する工程と、 前記リードフレーム上の前記LEDチップを覆うように、第1の封止樹脂を塗布する工程と、 この塗布工程により塗布された前記第1の封止樹脂上に、粒子を所定の濃度で混合してなる第2の封止樹脂を塗布する工程と、 前記第1の封止樹脂中に、前記第2の封止樹脂を沈降させる工程を備えることを特徴とする光半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (9件)：

5F041AA07 ,  5F041AA42 ,  5F041DA36 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA56 ,  5F041DA58 ,  5F041DB03 ,  5F041FF11