半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-238747
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153546
出願日： 1996年09月10日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の製造技術に係り、特に、接合リーク、配線間ショート等、半導体装置の信頼性に影響を及ぼす現象を低減するSAC構造やBLC構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】下地基板10と、下地基板10上に形成された第1の絶縁膜16と、第1の絶縁膜16上に形成された第2の絶縁膜18よりなり、下地基板10に達する開口部22が形成された層間絶縁膜20と、開口部22の内壁及び底部に形成された導電性膜24とを設け、第1の絶縁膜16に形成された開口部22の開口幅を第2の絶縁膜18に形成された開口部の開口幅よりも広くし、開口部22内壁に形成された導電性膜24と開口部22底部に形成された導電性膜24とが境界で連続するように構成する。

請求項（抜粋）：

下地基板と、前記下地基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜よりなり、前記下地基板に達する開口部が形成された層間絶縁膜と、前記開口部の内壁及び底部に形成された導電性膜とを有し、前記第1の絶縁膜に形成された前記開口部の開口幅は、前記第2の絶縁膜に形成された前記開口部の開口幅よりも広く、前記開口部内壁に形成された前記導電性膜と、前記開口部の底部に形成された前記導電性膜とが境界で連続していることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/768 , H01L 21/285 , H01L 21/3065 , H01L 21/31 , H01L 21/3205 , H05H 1/46

FI (6件)：

H01L 21/90 C , H01L 21/285 S , H01L 21/31 C , H05H 1/46 B , H01L 21/302 E , H01L 21/88 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-134848
コンタクト形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-326711 出願人：シャープ株式会社
特開平2-026020

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