半導体装置,表示装置,表示装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-121759
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116067
出願日： 1995年05月19日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】画素部のTFTのオフ電流を小さくし、周辺回路部のTFTのオン電流を大きくすることが可能なドライバ一体型アクティブマトリックス方式TFT-LCDを提供する。【構成】画素部50の多結晶シリコンTFT1と周辺駆動回路部53の多結晶シリコンTFT2とは共に同一の絶縁基板3上に形成されており、ゲート絶縁膜4の膜厚およびゲート電極5の寸法は同一である。しかし、TFT1の能動層である多結晶シリコン層6aは薄く、TFT2の能動層である多結晶シリコン層6bは厚くなっている。そのため、TFT1のオフ電流を小さくした上で、TFT2のオン電流を大きくすることができる。

請求項（抜粋）：