特許

J-GLOBAL ID：200903074215103357

シリコンの精製方法

発明者： 芝田 智樹 ,  坂田 雅史 ,  山内 睦文 ,  棚橋 満
出願人/特許権者： 大同特殊鋼株式会社 ,  山内 睦文 ,  棚橋 満
代理人 (1件)： 上野 登
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-193930
公開番号（公開出願番号）：特開2003-012317
出願日： 2001年06月27日
公開日（公表日）： 2003年01月15日
要約：

【要約】【課題】 金属シリコンに含まれるBを効率よく除去することができ、しかも、太陽電池級シリコンを安価に製造することが可能なシリコンの精製方法を提供すること。【解決手段】 本発明に係るシリコンの精製方法は、ホウ素濃度が100massppm以下であるシリコン12に塩基性成分を含むフラックス16を添加し、これらを溶融させるフラックス添加工程と、シリコン12にノズル18を浸漬し、酸化性ガスを吹き込む反応工程と、シリコン12からフラックス16を除去するフラックス除去工程とを備えている。この場合、フラックス添加工程、反応工程及びフラックス除去工程は、複数回繰り返しても良い。また、フラックス16には、CaO、CaCO3又はNa2Oを含む塩基性フラックス、特に、所定の組成を有するCaO-CaF2混合フラックスを用いるのが好ましい。

請求項（抜粋）：

ホウ素濃度が100massppm以下であるシリコンに塩基性成分を含むフラックスを添加し、これらを溶融させるフラックス添加工程と、前記シリコン中にノズルを浸漬し、酸化性ガスを吹き込む反応工程と、前記シリコンから前記フラックスを除去するフラックス除去工程とを備えたシリコンの精製方法。

Fターム (7件)：

4G072AA01 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072MM08 ,  4G072RR03 ,  4G072UU02