特許
J-GLOBAL ID：200903074215528323
光起電部品及びモジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川原田 一穂
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-527583
公開番号（公開出願番号）：特表2004-510323
出願日： 2001年09月13日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
特定の基礎ドーピングを有する少なくとも1つの三結晶性ウエーハ(2)と、受光側(3)と、該受光側(3)とは反対側の電気結合側(4)と、該電気結合側(4)上に配置された少なくとも1つの交互配置形半導体構造(5)とを備え、交互配置形半導体構造(5)は、少なくとも1つのn型半導体部分構造(6)と、該n型半導体部分構造(6)に対し特定間隔(8)で配置された少なくとも1つのp型半導体部分構造(7)とからなる光起電部品。こうして、半導体部分構造の一方及びシリコンウエーハは、p-n接合(9)を形成する。
請求項（抜粋）：
受光側及び該受光側とは反対側に電気結合側を有するシリコンウエーハに所定の基礎ドーピングを付与する工程を含む光起電部品の製造方法において、更に
(a)該シリコンウエーハの電気結合側に、シリコンウエーハのドーピングとは異なるドーピングを付与したドープ層を作製して、シリコンウエーハ中にp-n接合を得る工程、
(b)該ドープ層上にn型半導体部分構造作製用n型ドーパント及びp型半導体部分構造作製用p型ドーパントを、交互配置形半導体部分構造に相当する形状で塗布し、次いでこれらドーパントをドープ層中に拡散せしめ、これにより該半導体部分構造を形成する工程、及び
(c)該ドープ層を前記半導体部分構造間の間隔で除去することにより、これら半導体部分構造を分離する工程
を含むことを特徴とする前記製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F051AA02
, 5F051CB13
, 5F051CB20
, 5F051CB21
, 5F051CB24
, 5F051DA03
, 5F051DA20
, 5F051FA10
, 5F051FA16
, 5F051FA17
, 5F051JA10
