特許

J-GLOBAL ID：200903074215705187

半導体装置

発明者： 山崎 舜平 ,  荒井 康行 ,  寺本 聡
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-314393
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144931
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【目的】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置において、機械的にフレキシブルでしかも軽量化された構成を得る。【構成】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置を構成する一対の基板301と302を透光性および可撓性を有する樹脂基板で構成する。また一方の樹脂基板上に薄膜トランジスタ305を形成する。また成膜の際における樹脂基板表面におけるオリゴマー発生防止、および樹脂基板表面の平坦化のために樹脂層303を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたゲイト電極と、前記ゲイト電極上に形成されたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に形成された実質的に真性な半導体層と、前記半導体層上に形成されたエッチングストッパー、ソース電極、及びドレイン電極と、前記エッチングストッパー、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の上に形成された有機材料と、を有し、前記実質的に真性な半導体層はプラズマCVD法で形成された半導体膜にレーザー光を照射して形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (4件)：

H01L 29/78 618 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-066863
  
• 特開昭60-066865
  
• 特開昭60-035574
  
• 特開平4-184424