特許

J-GLOBAL ID：200903074217040654

多層エピタキシャルウェーハのエピ膜厚の測定方法

発明者： 白井 宏 ,  赤井 賢治 ,  阿部 敏雄 ,  戸島 主税 ,  岩田 勝行
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 赤野 牧子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-038472
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223715
出願日： 1997年02月06日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 スイッチング素子等のパワーデバイスに用いられるIGBT用の多層エピタキシャルウエハのエピ膜厚を非破壊的に、且つ、非接触的で精度よく測定する。【解決手段】 (1)異なる電気的特性を有する少なくとも2層のエピ膜が形成されてなる多層エピタキシャルウエハを少なくとも500cm-1以下、特に500cm-1以下の遠赤外領域の赤外線を用いて反射率スペクトルを測定する遠赤外反射率測定工程、(2)遠赤外反射率測定工程で得た反射スペクトルを最大エントロピー法で周波数解析する解析工程、(3)解析工程で得た解析スペクトルに基づき各層のエピ膜厚を求める工程を有することを特徴とする多層エピタキシャルウエハのエピ膜厚の測定方法。

請求項（抜粋）：

(1)異なる電気的特性を有する少なくとも2層のエピ膜が形成されてなる多層エピタキシャルウェーハを少なくとも500cm-1以下の遠赤外領域の赤外線を用いて反射率スペクトルを測定する遠赤外反射率測定工程、(2)遠赤外反射率測定工程で得た反射スペクトルを最大エントロピー法で周波数解析する解析工程、(3)解析工程で得た解析スペクトルに基づき各層のエピ膜厚を求める工程を有することを特徴とする多層エピタキシャルウェーハのエピ膜厚の測定方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01B 11/06 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/66 P ,  G01B 11/06 Z ,  H01L 29/78 655 Z