特許

J-GLOBAL ID：200903074219944704

ICチップ内蔵多層基板及びその製造方法

発明者： 小川 稔
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-222050
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037205
出願日： 2001年07月23日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 ICチップの薄膜化を良好に行えるICチップ内蔵多層基板及びその製造方法を提供すること【解決手段】 ICチップと、前記ICチップを埋め込むように実装されたICチップ実装基板と、前記ICチップ実装基板のチップ埋込面側に設けられた基板間絶縁層と、前記ICチップ実装基板のチップ非埋込面側に設けられた外層用の回路基板と、前記外層用の回路基板に対して前記ICチップ実装基板及び基板間絶縁層を挟み込むように積層された内層用の回路基板とを備え、前記ICチップ実装基板は、チップ埋込時に、所定の厚みのICチップを実装基板の厚みに揃え込むようにブラスティングにより薄膜化して成る。

請求項（抜粋）：

ICチップと、前記ICチップを埋め込むように実装されたICチップ実装基板と、前記ICチップ実装基板のチップ埋込面側に設けられた基板間絶縁層と、前記ICチップ実装基板のチップ非埋込面側に設けられた外層用の回路基板と、前記外層用の回路基板に対して前記ICチップ実装基板及び基板間絶縁層を挟み込むように積層された内層用の回路基板とを備え、前記ICチップ実装基板は、チップ埋込時に、所定の厚みのICチップを実装基板の厚みに揃え込むようにブラスティングにより薄膜化して成ることを特徴とするICチップ内蔵多層基板。

IPC (7件)：

H01L 23/12 ,  B42D 15/10 521 ,  G06K 19/077 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H05K 3/46

FI (7件)：

B42D 15/10 521 ,  H05K 3/46 G ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 Q ,  H01L 23/12 N ,  G06K 19/00 K ,  H01L 25/08 Z

Fターム (22件)：

2C005MA16 ,  2C005MA21 ,  2C005MA33 ,  2C005MA40 ,  2C005NB30 ,  2C005NB32 ,  2C005PA04 ,  2C005PA18 ,  2C005RA04 ,  2C005RA06 ,  2C005RA15 ,  2C005RA30 ,  5B035BA03 ,  5B035BB09 ,  5B035CA01 ,  5E346AA12 ,  5E346AA43 ,  5E346BB20 ,  5E346DD34 ,  5E346FF18 ,  5E346GG15 ,  5E346GG40