特許

J-GLOBAL ID：200903074219984420

高純度単一壁カーボンナノチューブ

発明者： ディロン、アン シー ,  ジネット、タマス ,  ヒービン、マイクル ジェイ
出願人/特許権者： ミッドウエスト リサーチ インスティチュート
代理人 (1件)： 朝日奈 宗太 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-516967
公開番号（公開出願番号）：特表2003-507304
出願日： 2000年08月11日
公開日（公表日）： 2003年02月25日
要約：

【要約】合わさった金属を取り除いて酸化可能なカーボンコーティングをSWNTに生成するのに充分な時間で、長レーザをグラファイトターゲットにパルスさせ、希釈チッ素酸にパルスされた材料をリフラックスないしは還流させ;前記材料から酸を分離し;そしてカーボンコーティングを酸化する工程を含む、実質的に純粋に単一壁のカーボンナノチューブ(SWNTs)の製造方法。本発明は、さらに、実質的に重量%においてSWNTsが98より大きくかつ金属が0.5より小さい、実質的に純粋に単一壁のカーボンナノチューブ(SWNTs)を提供する。

請求項（抜粋）：

実質的に純粋な単一壁の炭素ナノチューブ(SWNTs)の製法であって、(a)黒鉛のターゲットを長レーザでパルスで照射する工程、(b)一体化した金属を取り除いて酸化可能な炭素をSWNTsにコーティングするのに充分な時間だけ、希硝酸中においてパルシングした材料を還流する工程、(c)前記材料から酸を分離する工程、および(d)炭素のコーティングを酸化させる工程からなる製法。

Fターム (3件)：

4G046CA00 ,  4G046CB03 ,  4G046CC05