半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-122052
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326941
出願日： 1992年05月14日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】本発明は、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(MOSFET)を有する半導体装置及びその製造方法に関し、動作速度を保持したまま、パンチスルー耐圧を向上することができるMOSFETを含む半導体装置の製造方法の提供を目的とする。【構成】電界効果トランジスタを含む半導体装置において、S/D領域層29a,29bと隣接するゲート電極27下の半導体基板23の表層に、S/D領域層29a,29bの深さよりも深い一導電型の高濃度領域層26を有し、かつS/D領域層29a,29bと接する領域であって、高濃度領域層26以外の領域は高濃度領域層26の導電率よりも低い導電率を有していることを含み構成する。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板上のゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上のゲート電極と、ゲート電極の両側の半導体基板に形成された反対導電形のソース/ドレイン領域層とを有する電界効果トランジスタを含む半導体装置において、前記ソース/ドレイン領域層と隣接するゲート電極下の半導体基板の表層に、前記ソース/ドレイン領域層の深さよりも深い一導電型の高濃度領域層を有し、かつ前記ソース/ドレイン領域層と接する領域であって、前記高濃度領域層以外の領域は前記高濃度領域層の導電率よりも低い導電率を有していることを特徴とする半導体装置。

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