特許
J-GLOBAL ID:200903074222481154
微細パターン形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
舘野 千惠子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-025936
公開番号(公開出願番号):特開平5-190544
出願日: 1992年01月17日
公開日(公表日): 1993年07月30日
要約:
【要約】【目的】 電界蒸発および電界電離により引き出してきた原子あるいは分子を用いて、基板表面にエッチングまたは堆積による微細パターン形成を可能にする。【構成】 針101と引き出し電極102とから構成されたヘッド109を基板表面103に近づけ、針と引き出し電極の間に電圧を印加し、針を構成する物質が電界蒸発を引き起こすだけの強度の電界を形成させる。針から電界蒸発により引き出された原子あるいは分子は、基板の加速電圧105を引き出し電極102と相対的に調整することによってその衝突速度を変え、非常に早いときは基板表面をスパッタエッチングし、遅いときは基板表面に堆積する。また、エッチングガス106を流し、針101と引き出し電極102との間に電界電離を形成し、基板表面に衝突させてエッチングを行う。
請求項(抜粋):
先が細くとがった針のごく近傍に引き出し電極を設けることにより、低い電圧で電界蒸発を発生させ、針の先端から蒸発してきた原子または分子を基板表面に導入し、加速電圧を調整することにより基板表面にエッチングまたは堆積を任意のパターンで行うことを特徴とする微細パターン形成方法。
IPC (10件):
H01L 21/3205
, C23C 16/44
, C30B 23/08
, C30B 25/02
, C30B 25/04
, H01J 37/08
, H01J 37/30
, H01L 21/203
, H01L 21/302
, H01L 21/326
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