特許
J-GLOBAL ID：200903074224648714
半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-152555
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343617
出願日： 1992年06月12日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 高集積化されたDRAMにおいて、容量のばらつきの小さいキャパシタを備えた半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】 メモリーセルのキャパシタ材料として結晶質誘電体を用いたダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー(DRAM)において、前記結晶質誘電体材料の結晶粒の平均粒径が0.1μm以下であることを特徴とする。【効果】 高集積化されたDRAMのキャパシタの容量をばらつきの小さい状態で作製することが可能になり、誤動作の少ないDRAMを提供することができる。
請求項（抜粋）：
メモリーセルのキャパシタ材料として結晶質誘電体を用いた半導体記憶装置において、前記結晶質誘電体の結晶粒の平均粒径が0.1μm以下であることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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