特許
J-GLOBAL ID：200903074229269380
貼り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-024144
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226463
出願日： 1992年02月10日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【構成】 本発明の貼り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法は、誘電体分離用溝を形成したシリコンウェーハ11の表面11aに、酸化膜12、高温CVD法によるポリシリコン層13を順次成膜し、次いで高温ポリシリコン層13に研削加工、鏡面研磨加工を順次施し、この高温ポリシリコン層14の上に低温CVD法によるポリシリコン膜15を成膜し、低温ポリシリコン膜15に鏡面研磨加工を施し、次いで低温ポリシリコン膜16と支持体シリコンウェーハ17の表面17aを相互に貼り合わせることを特徴とする。【効果】 シリコンウェーハの低温ポリシリコン膜との貼り合わせ面の段差を解消することができ、この貼り合わせ面の貼り合わせ強度を向上させることができる。したがって、従来実用上の障害とされていたこの貼り合わせ面の気泡を大幅に減少させることができる。
請求項（抜粋）：
誘電体分離島を有するシリコンウェーハを支持ウェーハに貼り合わせる誘電体分離ウェーハの製造方法であって、誘電体分離用溝を形成したシリコンウェーハの表面に、酸化膜、高温CVD法によるポリシリコン層を順次成膜し、次いで該高温ポリシリコン層に研削加工、鏡面研磨加工を順次施し、この高温ポリシリコン層の上に低温CVD法によるポリシリコン膜を成膜し、該低温ポリシリコン膜に鏡面研磨加工を施し、次いで該低温ポリシリコン膜と支持体シリコンウェーハの表面を相互に貼り合わせることを特徴とする貼り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/76
, C30B 33/06
, H01L 21/02
