特許
J-GLOBAL ID：200903074232415206
薄膜形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-223587
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088186
出願日： 1994年09月19日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、デバイス特性に悪影響を与えない温度で、高品質な薄膜を形成する方法を提供することを目的とする。【構成】 この発明は、基板8上に気相成長法により非晶質シリコン薄膜を形成する薄膜形成方法であって、加熱した原料ガス以外のガスを成膜表面の全面または一部に導入し、非晶質シリコン薄膜を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に気相成長法により薄膜を形成する薄膜形成方法であって、加熱した原料ガス以外のガスを成膜表面の全面または一部に導入することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C23C 16/50
