炭素皮膜、同炭素皮膜を適用した磁気ディスク及びその製造方法並びに磁気ヘッド

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-287684
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110031
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】高硬度ではあるが高応力のSP3結合を主体とするアモルファス炭素皮膜の剥離モードによる破壊を防ぎ、極薄でも十分な強度を有する炭素皮膜を提供する。また、該炭素皮膜を保護層として適用した高記録密度と耐摺動信頼性の向上に適した磁気ディスク及び磁気ヘッドを提供する。【解決手段】アモルファス構造あるいは微結晶を含むアモルファス構造の主として炭素からなり、炭素原子間結合はSP3結合を主体とする皮膜の面内に、内部応力がその周囲より低い応力緩和領域を分散して形成する。該皮膜を保護層として磁気ディスクの強磁性体層の上に形成する。当該皮膜を保護層として磁気ヘッドのスライダ部及び素子部に形成する。

請求項（抜粋）：

アモルファス構造あるいは微結晶を含むアモルファス構造の主として炭素からなる皮膜であって、炭素原子間の結合はSP3結合を主体とし、該皮膜の面内に内部応力がその周囲より低い応力緩和領域が分散されていることを特徴とする炭素皮膜。

IPC (9件)：

G11B 5/72 , C01B 31/02 101 , C23C 16/26 , G11B 5/31 , G11B 5/60 , G11B 5/84 , G11B 21/21 101 , C03C 17/22 , C03C 17/36

FI (9件)：

G11B 5/72 , C01B 31/02 101 Z , C23C 16/26 , G11B 5/31 H , G11B 5/60 B , G11B 5/84 B , G11B 21/21 101 K , C03C 17/22 Z , C03C 17/36

Fターム (50件)：

4G046CA02 , 4G046CB03 , 4G046CB08 , 4G046CC06 , 4G046CC10 , 4G059AA09 , 4G059AB01 , 4G059AB11 , 4G059AC16 , 4G059DA06 , 4G059DA07 , 4G059DA09 , 4G059DB02 , 4G059EA11 , 4G059EB02 , 4G059GA02 , 4G059GA04 , 4G059GA14 , 4K030AA09 , 4K030BA27 , 4K030BB05 , 4K030CA05 , 4K030CA06 , 4K030DA02 , 4K030DA09 , 4K030FA01 , 4K030HA02 , 4K030HA06 , 4K030HA14 , 4K030LA01 , 4K030LA20 , 5D006AA02 , 5D006AA05 , 5D006AA06 , 5D006DA03 , 5D006EA03 , 5D006FA02 , 5D006FA09 , 5D033AA02 , 5D033BA62 , 5D033CA03 , 5D033DA03 , 5D042NA01 , 5D042PA10 , 5D042SA03 , 5D112AA07 , 5D112AA24 , 5D112BC05 , 5D112GA02 , 5D112GA19

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