特許
J-GLOBAL ID：200903074235810297
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-011457
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206581
出願日： 1992年01月27日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 内部電流狭窄構造部を有する半導体レーザの寄生容量を従来より低減でき然も該電流狭窄構造部で使用する半導体層に要求される諸条件を従来より緩和できる構造を提供すること。【構成】 n型InP基板31上にメサ状のダブルヘテロ接合構造部33を具え、この基板の、ダブルヘテロ接合構造部33両側部分上に、空気層で構成した絶縁物層35bを有する電流狭窄構造部35を設ける。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にメサ状のダブルヘテロ接合構造部を具え、前記半導体基板の、前記ダブルヘテロ接合構造部両側部分上に電流狭窄構造部を具える半導体発光素子において、電流狭窄構造部の一部を絶縁物層で構成したことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
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