特許
J-GLOBAL ID：200903074242287087
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-013714
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221256
出願日： 1994年02月07日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 本発明は半導体装置及びその製造方法に関し、高周波における電気特性を改善し、かつ、低コストとすることを目的とする。【構成】 ICパッケージ11は、パッケージ本体12とグランド用補助導体31からなる。リードフレーム16は、樹脂封止されて、上樹脂部14と下樹脂部15からなる樹脂部13が形成されている。下樹脂部15には、略枠状のリード表出面部15aが形成されており、リード18、22が、表面を露出させて埋設されている。グランド用リード22の先端には接続用電極24,25が形成されている。グランド用補助導体31は、枠部32の裏面に接続用面部32bが形成されており、絶縁テープを介して、パッケージ本体12に接合される。絶縁テープに設けた接続用孔を介して、半田等によりグランド用補助導体31が接続用電極24,25に接合されている。
請求項（抜粋）：
複数のリード部材(18,22)の各内部リード部が半導体チップに接続されており、前記リード部材(18)の外部リード部(19)が突出した状態で樹脂封止により樹脂部(13)が形成された半導体装置において、グランド用又は電源用の上記リード部材(22)上に形成された、上記樹脂部(13)から表面が露出した接続用電極(24,25)と、樹脂封止後に上記接続用電極(24,25)に接続されており、複数の上記リード部材(18,22)に近接して配設された面部(32b)を有する補助導体(31)とを設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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