特許

J-GLOBAL ID：200903074248120460

絶縁酸化膜の形成方法及び半導体装置

発明者： 大見 忠弘
出願人/特許権者： 大見 忠弘
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-122699
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333918
出願日： 1993年05月25日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 絶縁耐圧が高く、リーク電流が小さく、注入電荷量を大きくとることができる絶縁酸化膜を形成することが可能な絶縁酸化膜の形成方法を提供し、また、絶縁耐圧が高く、リーク電流が小さく、注入電荷量を大きくとることができる絶縁酸化膜を有する半導体装置を提供すること。【構成】 本発明の絶縁酸化膜の形成方法は、不活性ガスと水分と水素の活性種とからなる弱酸化性ガス雰囲気中、あるいは、不活性ガスと水分と水素の活性種と水素とからなる弱酸化性雰囲気中において、半導体基体を加熱することにより該基体表面に絶縁酸化膜を形成することを特徴とする。また、本発明の半導体装置は上記方法により形成した絶縁膜を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

不活性ガスと水分と水素の活性種とからなる弱酸化性ガス雰囲気中、あるいは、不活性ガスと水分と水素の活性種と水素とからなる弱酸化性雰囲気中において、半導体基体を加熱することにより該基体表面に絶縁酸化膜を形成することを特徴とする絶縁酸化膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-055842
  
• 特開平3-140453
  
• 特開昭63-313824