特許
J-GLOBAL ID：200903074255518100
半導体装置における接続孔の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-058362
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232252
出願日： 1996年02月21日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】ソース・ドレイン領域と配線層との間の耐圧劣化や短絡発生の防止、及び、ソース・ドレイン領域と配線層との間の確実な電気的接続を可能にする接続孔の形成方法を提供する。【解決手段】接続孔の形成方法は、(イ)シリコン半導体基板10に設けられたゲート電極12及びソース・ドレイン領域15上にエッチングストッパー層20を形成し、その上に絶縁層21を形成し、(ロ)絶縁層21からエッチングストッパー層20の途中まで延びる開口部23をソース・ドレイン領域15の上方に形成し、(ハ)開口部23内を含む絶縁層21上に金属層24を形成し(ニ)熱処理を施し、開口部23底部の金属層24とシリコン半導体基板10とを反応させて、開口部23の底部に金属シリサイド層25を形成し、(ホ)未反応の金属層24を除去し、(ヘ)開口部23内に導電材料を埋め込み、以て、接続孔27を形成する各工程から成る。
請求項（抜粋）：
(イ)シリコン半導体基板に設けられたゲート電極及びソース・ドレイン領域上にエッチングストッパー層を形成した後、該エッチングストッパー層上に絶縁層を形成する工程と、(ロ)絶縁層からエッチングストッパー層の途中まで延び、底部にエッチングストッパー層が残された開口部をソース・ドレイン領域の上方に形成する工程と、(ハ)開口部内を含む絶縁層上に金属層を形成する工程と、(ニ)熱処理を施すことによって、開口部底部における金属層を構成する金属とシリコン半導体基板のシリコンとを反応させて、開口部の底部に金属シリサイド層を形成する工程と、(ホ)未反応の金属層を除去する工程と、(ヘ)開口部内に導電材料を埋め込み、以て、接続孔を形成する工程、から成ることを特徴とする半導体装置における接続孔の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/28 L
, H01L 21/90 C
