パターン形成方法、投影露光装置および半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-004942
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199390
出願日： 1996年01月16日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】マスクパターンの複雑な補正を行なうことなしに、設計パターンに忠実な投影像またはホトレジストパターンを形成できるパターン形成方法、投影露光装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】投影露光装置の投影レンズの瞳位置に、振幅透過率の可変な瞳フィルタを配置して露光を行う。瞳フィルタは透明基板、位相シフト膜、半透明膜および遮光用のステンシル等で構成され、被露光基板表面の同一位置に対する複数回または1回の露光中に、交換あるいは回転される。【効果】投影レンズの高NA化、露光光の短波長化あるいはマスクパターンの一部の補正等を行なうことなしに、パターン転写像の輪郭の忠実性を向上でき、解像不良の発生を防止して、半導体集積回路装置等を高い歩留まりで製造できる。

請求項（抜粋）：

マスクに形成された所定のパターンを投影レンズを介して基板上に投影露光して、上記パターンを上記基板上に転写する方法において、上記マスクはほぼ垂直上方から照明され、上記基板表面の同一位置に対する同一の上記パターンの露光が、上記投影レンズの瞳位置に配置された瞳フィルタの瞳関数を上記露光中に変えて行なわれ、上記瞳関数の少なくとも一つは、瞳中心に対して非軸対称な振幅透過率分布を有していることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (3件)：

H01L 21/30 515 D , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 528

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