特許
J-GLOBAL ID：200903074258603663
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-119709
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291240
出願日： 1992年04月13日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 半導体集積回路に用いられるプラズマCVD膜を成膜する際に、発生し易いパーティクルを抑えることで、信頼性の高い半導体集積回路を得ると共に、半導体製造装置の安定稼動を実現する。【構成】 反応室101の底部102に径が1ミリメートル程の多数の穴103があけられ、デポジション中に穴103から窒素ガス又はアルゴンガスなどの不活性ガスを反応室101内に少量流し込む。これにより、デポジション中に発生し、反応室101の底部102に付着又は堆積してパーティクルの原因となるデポ物や汚れが、窒素又は不活性ガスが穴103から反応室101内へ吹き出しているため、反応室101の底部102に付着又は堆積せず、排気され、反応室内を清浄な状態に長期間に渡り保つことができる。
請求項（抜粋）：
ガス供給機構を有し、反応性ガスを反応室に導入して、対向する2枚の平行平板電極に高周波を印加することにより反応性ガスプラズマを生成し、半導体基板上にCVD膜を形成する半導体製造装置であって、ガス供給機構は、前記反応室の底部にあけられた多数の小穴から窒素又は不活性ガスを反応室内に供給するものであることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
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