特許

J-GLOBAL ID：200903074258922041

記憶装置およびフラッシュメモリ

発明者： 北島 秀則 ,  ▲高▼橋 紫濃 ,  飯田 好和 ,  深澤 真一 ,  和田 武史
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-095860
公開番号（公開出願番号）：特開平11-296430
出願日： 1998年04月08日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 従来のフラッシュカードに用いられているフラッシュメモリは高機能の制御回路を内蔵していたため、制御回路のチップ全体に占める割合は大きく、それによって従来のフラッシュメモリのチップサイズは比較的大きく、これを用いたメモリカードの大容量化が困難であるという課題があった。【解決手段】 メモリチップに内蔵されていた制御回路や電源回路など各チップに重複して設けられていた機能をゲートアレイなどで構成される共通のコントローラチップに移植して、メモリカードを構成するメモリチップからそのような回路を除去するようにした。

請求項（抜粋）：

複数のメモリチップとこれらのメモリチップの選択信号および読出し・書込み制御信号を形成する制御用チップを内蔵した記憶装置において、各メモリチップに共通の制御回路および電源回路が上記制御用チップに設けられているとともに、上記制御用チップは上記複数のメモリチップのうち一つを選択して上記制御回路において形成される制御信号および上記電源回路において発生される電圧を上記選択されたメモリチップに供給して動作を行なわせるように構成されてなることを特徴とする記憶装置。

IPC (2件)：

G06F 12/06 515 ,  G11C 16/06

FI (2件)：

G06F 12/06 515 H ,  G11C 17/00 631