プラズマエッチング方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-238291
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141341
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】損傷を与えず、マイクロローディングを用いることもなく敏感な装置を加工でき、歩留りを上げること及び酸素非含有層上に有る酸素含有層のエッチングを高い選択で達成すること。【解決手段】本発明の処理チャンバはチャンバ内に誘導結合されたRFエネルギーによって駆動されるアンテナ30を用いる。アンテナ30はチャンバ内に酸素非含有層上にある酸素含有層を高い選択度でエッチングするため高密度、低エネルギーのプラズマを発生する。基板支持か沿うド32に印加される補助RFバイアスエネルギーがカソードシース電圧を制御し、また密度にかかわらずオンエネルギーを制御する。フッ素含有エッチングガスとこのガスにガス状のシリコンまた炭素源を通過させる。エッチング処理、蒸着処理及びこれらの組合せ処理と共にさまざまな磁気及び電気処理向上技術を開示する。

請求項（抜粋）：

プラズマエッチング方法であって、a)真空チャンバー内にプラズマを維持するための真空チャンバーを設けるステップと、b)前記真空チャンバー内でRFエネルギー源に接続された支持装置上に、前記プラズマによって処理されるべきシリコン基板を設けるステップと、c)コイルアンテナによってプラズマを形成するため、前記真空チャンバにRFエネルギーを誘導的に結合するステップと、d)前記真空チャンバにフッ素含有エッチングガスを供給するステップと、e)プラズマ中のフッ素イオンを除くために、基板の処理中に前記エッチングガスに加えて、ガス状のシリコンまたは炭素源を通過させるステップ、を含むプラズマエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (2件)：

H05H 1/46 L , H01L 21/302 B

Fターム (18件)：

5F004AA05 , 5F004BA20 , 5F004BB07 , 5F004BB11 , 5F004BD04 , 5F004BD05 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA04 , 5F004DA01 , 5F004DA16 , 5F004DA26 , 5F004DB01 , 5F004DB02 , 5F004DB06 , 5F004DB07 , 5F004DB09 , 5F004DB17

引用特許：

審査官引用 (16件)

特開平4-237124
特開平4-094121
特開平4-237124

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