特許

J-GLOBAL ID：200903074261535938

半導体基板の製造方法

発明者： 矢野 孝幸 ,  浜口 功 ,  中島 辰雄 ,  日月 應治
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-332440
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193204
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 SIMOXウェハ上に存在するパーティクルを低減する。【構成】 SIMOXウェハの材料となるシリコンウェハ1上に、イオン注入工程に先だって保護膜を形成する。この保護膜2を通じて酸素をイオン注入することにより、基板内部にイオン注入領域3を形成する。その後に保護膜の溶解を行うことにより、シリコンウェハ上に残留した通常の洗浄法では除去することが困難なパーティクルを、保護膜とともに除去する。この保護膜除去工程では一度除去されたパーティクルがシリコンウェハ表面に再付着することがあるため、引き続きパーティクル除去洗浄を行う。

請求項（抜粋）：

酸素イオン注入により内部にシリコン酸化膜を形成したシリコンウェハを製造する工程において、酸素イオン注入に先だってシリコンウェハ上に保護膜を形成することと、保護膜を通して酸素イオン注入を行った後に保護膜物質を溶解することと、前記保護膜物質溶解に引き続いてシリコンウェハを洗浄することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/76

FI (3件)：

H01L 21/265 J ,  H01L 21/265 H ,  H01L 21/76 R