特許
J-GLOBAL ID：200903074266445260
半導体装置とその製造方法およびその接続構造
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-098858
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297734
出願日： 1998年04月10日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】 接続加圧時に発生する突起電極と回路電極間の導電性材料の未接続部を無くし、突起電極と回路電極間の導電性材料の数を充分に確保し、接続信頼性を向上させさらに、接続面積を小さくして、接続ピッチの微細化と高信頼性のある半導体装置および製造方法とその接続構造を提供する。【解決手段】 電極パッド14上に異方性導電接着剤32の導電粒子30の大きさより小さな形状で複数の開口部を有する突起状感光性樹脂20を設けてその全面にスパッタリング法により電極層21を形成し、フォトリソグラフィーとエッチング技術をもちいて電極層21を複数の開口部を有する突起状感光性樹脂20上に突起電極層22をパターン形成する半導体装置とその製造方法およびその接続構造。
請求項（抜粋）：
電極パッド上の周縁部に開口部を有する絶縁膜と、電極パッド上に設ける複数の開口部を有する突起状感光性樹脂と、突起状感光性樹脂を覆い電極パッドに接続する突起電極膜とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60
, H01L 21/60 311
, H01L 21/3205
H01L 21/92 602 E
, H01L 21/60 311 Q
, H01L 21/88 T
, H01L 21/92 602 R
, H01L 21/92 602 L
