特許

J-GLOBAL ID：200903074266724801

半導体装置およびその製造方法

発明者： 粟屋 信義
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-102315
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289214
出願日： 1996年04月24日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】 多層配線構造において、長距離配線に要求される低抵抗性と、高密度配線におけるマイグレーション耐性を同時に満足できるようにすることを目的とする。【解決手段】 下層に位置する下部配線層5や中間配線層7は銅合金から構成する。これに対して、より上層に位置する上部配線層9や長距離配線層11は準銅から構成する。銅合金としては、銅に対して銀,パラジウム,プラチナ,錫,クロム,ジルコニウム,チタンのいずれかを添加する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を介して形成された銅合金からなる第1の配線層と、前記第1の配線層上に層間絶縁膜を介して形成され、銅からなる第2の配線層とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28

FI (3件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 Z