特許
J-GLOBAL ID:200903074267376262

フォトマスクのパターン欠陥検査・欠陥修正方法及び、フォトマスクのパターン欠陥検査・欠陥修正装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高月 亨
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-189023
公開番号(公開出願番号):特開平7-135244
出願日: 1993年06月30日
公開日(公表日): 1995年05月23日
要約:
【要約】【目的】 フォトマスクのパターン欠陥検査・修正方法及び同装置において、欠陥の発生場所、種類に応じた欠陥検出を行うことを可能とする。【構成】 ?@パターンが形成されたフォトマスクのパターン欠陥を検査し及び/またはパターン欠陥を修正するパターン欠陥検査・修正方法において、パターン4のエッジ41から欠陥までの距離(及び必要により欠陥サイズ・Cr欠陥かシフター欠陥かの別)を微分波形6(6a〜6d)を用いるなどして検知して、これを考慮する。?Aフォトマスクの画像を認識する画像認識手段と、フォトマスクの透過光強度の微分波形を得る微分回路と、欠陥に係る判定を行う比較判定回路とを有するフォトマスクのパターン欠陥検査・欠陥修正装置。
請求項(抜粋):
パターンが形成されたフォトマスクのパターン欠陥を検査し及び/またはパターン欠陥を修正するパターン欠陥検査・修正方法において、パターンのエッジから欠陥までの距離を考慮することを特徴とするフォトマスクのパターン欠陥検査・欠陥修正方法。
IPC (3件):
H01L 21/66 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2件):
H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 V

前のページに戻る