特許
J-GLOBAL ID:200903074274614543
酸化鉄の光触媒膜、かかる光触媒膜を有する電極、かかる膜を製造する方法、該電極を有する光電気化学セル、および該セルを有する光電気化学システム
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
宮川 貞二
, 宮川 清
, 松村 博之
, 東野 博文
, 高橋 和夫
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-515418
公開番号(公開出願番号):特表2004-504934
出願日: 2001年07月29日
公開日(公表日): 2004年02月19日
要約:
半導体酸化鉄(Fe2O3)の光触媒膜は、n型ドーパントまたは混合n型ドーパント、もしくはp型ドーパントまたは混合p型ドーパントを含む。電極は、n型ドープまたはp型ドープされた半導体酸化鉄(Fe2O3)の一つ以上の膜または光触媒編成の膜を、例えば、一方側の表面または両側の表面に有する基板から成る。光電気化学セルは、n型ドープまたはp型ドープされた半導体酸化鉄(Fe2O3)のひとつの膜または複数層の膜を有する電極を備える。半導体酸化鉄(Fe2O3)の膜は、スプレー熱分解法またはゾルゲル法により製造できる。可視光により水を水素と酸素に直接分解するためのシステムであって、この本システムは、光触媒膜を有する一つ以上の光電気化学セルを備える。このシステムは、ドープされた酸化鉄(Fe2O3)の膜を有する光電気化学セルを備えるタンデムセルシステムであってもよい。
請求項(抜粋):
半導体酸化鉄(Fe2O3)の光触媒膜であって;
n型ドーパント、またはn型ドーパントの混合物、または
p型ドーパント、またはp型ドーパントの混合物を含むことを特徴とする;
半導体酸化鉄の光触媒膜。
IPC (4件):
B01J35/02
, B01J23/84
, C01B3/04
, C01G49/06
FI (4件):
B01J35/02 J
, B01J23/84 M
, C01B3/04 A
, C01G49/06 Z
Fターム (38件):
4G002AA03
, 4G002AA12
, 4G002AB02
, 4G002AD02
, 4G002AE05
, 4G069AA03
, 4G069AA08
, 4G069BA48A
, 4G069BB04A
, 4G069BB04B
, 4G069BC08A
, 4G069BC21A
, 4G069BC22A
, 4G069BC23A
, 4G069BC25A
, 4G069BC26B
, 4G069BC27A
, 4G069BC50B
, 4G069BC51A
, 4G069BC52A
, 4G069BC54A
, 4G069BC55A
, 4G069BC56A
, 4G069BC59A
, 4G069BC63A
, 4G069BC64A
, 4G069BC66A
, 4G069BC66B
, 4G069BD04A
, 4G069BD05B
, 4G069BD06A
, 4G069BD07A
, 4G069BD11A
, 4G069CC33
, 4G069EA08
, 4G069FA02
, 4G069FB24
, 4G069FB34
前のページに戻る