特許
J-GLOBAL ID:200903074278083445

レジスト材料及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (10件): 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-254170
公開番号(公開出願番号):特開2006-071889
出願日: 2004年09月01日
公開日(公表日): 2006年03月16日
要約:
【課題】 液浸リソグラフィに用いる液体によるレジスト膜の軟化を防止して、良好な形状を有する微細化パターンを得られるようにする。 【解決手段】 レジスト材料は、アルカリ可溶性基の一部が酸により不安定となる酸不安定基で保護された第1のポリマー20Aと、アルカリ可溶性基のほぼ全てが酸により不安定となる酸不安定基で保護された第2のポリマー20Bと、酸発生剤とを含んでいる。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
アルカリ可溶性基の一部が酸により不安定となる酸不安定基で保護された第1のポリマーと、 アルカリ可溶性基のほぼ全部が酸により不安定となる酸不安定基で保護された第2のポリマーと、 酸発生剤とを含むことを特徴とするレジスト材料。
IPC (3件):
G03F 7/039 ,  G03F 7/032 ,  H01L 21/027
FI (3件):
G03F7/039 601 ,  G03F7/032 ,  H01L21/30 502R
Fターム (20件):
2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • ポジ型レジスト組成物
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-236460   出願人:富士写真フイルム株式会社

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