特許

J-GLOBAL ID：200903074281082026

ホール素子及びそれを用いた携帯機器用途向け各種装置

発明者： 氏原 剛志
出願人/特許権者： 旭化成電子株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-121298
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318459
出願日： 2002年04月23日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】 携帯機器用途に対して使いやすく、高感度で低消費電力かつ温度特性が良好なホール素子を提供すること。【解決手段】 活性層12に温度特性が良い化合物半導体を選び、活性層12と基板11との間に格子定数が近く高抵抗の緩衝層13,13を挟んだ多層構造にすることで、活性層12を、結晶性を保ったまま薄く形成することができる。この多層構造の膜をホール素子の感磁部に用いることで携帯機器用途に適したホール素子を実現した。

請求項（抜粋）：

基板上に形成され、膜厚が30nmより大きく100nmより小さいInxGa1-xAsySb1-y(0≦x≦1、0≦y≦1)層を活性層とし、該活性層を化合物半導体で挟んだ多層構造を有する感磁部を備え、入力抵抗R×感度Vhが20[Ω・V](入力電圧1V、印加磁場50mT)以上であることを特徴とするホール素子。

IPC (3件)：

H01L 43/06 ,  G01B 7/00 ,  G01R 33/07

FI (4件)：

H01L 43/06 S ,  H01L 43/06 U ,  G01B 7/00 J ,  G01R 33/06 H

Fターム (16件)：

2F063AA02 ,  2F063BA28 ,  2F063CA09 ,  2F063CA15 ,  2F063CB01 ,  2F063CC10 ,  2F063DA01 ,  2F063DA05 ,  2F063DD03 ,  2F063GA53 ,  2F063KA01 ,  2F063LA23 ,  2G017AA01 ,  2G017AA16 ,  2G017AD53 ,  2G017AD61