特許
J-GLOBAL ID：200903074281978933
プログラム可能抵抗素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-300646
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198765
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 神経回路網やアナログ・デイジタル変換器に用いられる抵抗器はしご形装置のような装置の中の抵抗素子として、または非揮発性メモリとして、のいずれにも用いることができるプログラム可能抵抗素子を提供する。【構成】 ヒ化ガリウムの層を有するチャンネル16が備えられ、このチャンネルの外側にプログラミング障壁18が配置される。真性ヒ化ガリウムの層を有する蓄積ゲート20がプログラミング障壁の外側に配置され、ヒ化アルミニューム・ガリウムの層を有する絶縁体22が蓄積ゲートの外側に配置される。相互に離れて配置された第1接触体26および第2接触体28がチャンネルに接触する。
請求項（抜粋）：
ヒ化ガリウムの層を有するチャンネル領域と、前記チャンネル領域の外側に配置されたプログラミング障壁と、前記プログラミング障壁の外側に配置されかつ真性ヒ化ガリウムの層を有する蓄積ゲートと、前記蓄積ゲートの外側に配置された絶縁体と、前記絶縁体の外側に配置された制御ゲートと、前記チャンネルに接触するために離れて配置された第1接触体および第2接触体と、を有するプログラム可能抵抗素子。
IPC (3件)：
H01L 27/10 451
, H01L 29/788
, H01L 29/792
