特許
J-GLOBAL ID:200903074286236757

ランガサイト単結晶及びそのウエーハ、並びにこれらの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 好宮 幹夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-116230
公開番号(公開出願番号):特開2000-302598
出願日: 1999年04月23日
公開日(公表日): 2000年10月31日
要約:
【要約】【課題】 クラックの発生のないランガサイト単結晶及び良好な弾性表面波特性を示し切断バラツキがないランガサイト単結晶ウエーハを、良好な歩留りで製造する。【解決手段】 六方晶系表示の面指数{hkl}が、h=0、且つk及びlは1〜5の整数で表わされる結晶面群に属する結晶面の垂線方向に単結晶の育成軸を有するランガサイト単結晶、六方晶系表示の面指数{hkl}が、h=0、且つk及びlは1〜5の整数で表わされる結晶面群に属する結晶面とウエーハ表面が平行であるランガサイト単結晶ウエーハ、六方晶系表示の面指数{hkl}が、h=0、且つk及びlは1〜5の整数で表わされる結晶面群に属する結晶面の垂線方向に単結晶を育成させるランガサイト単結晶の製造方法、上記製造方法にて単結晶を製造後、六方晶系表示の面指数{hkl}が、h=0、且つk及びlは1〜5の整数で表わされる結晶面群に属する結晶面と平行に単結晶を切断するランガサイト単結晶ウエーハの製造方法。
請求項(抜粋):
六方晶系表示の面指数{hkl}が、h=0、且つk及びlは1〜5の整数で表わされる結晶面群に属するいずれかの結晶面の垂線方向に単結晶の育成軸を有することを特徴とするランガサイト単結晶。
IPC (2件):
C30B 29/34 ,  H01L 41/24
FI (2件):
C30B 29/34 Z ,  H01L 41/22 A
Fターム (9件):
4G077AA02 ,  4G077AB07 ,  4G077BC23 ,  4G077CF01 ,  4G077CF10 ,  4G077FG11 ,  4G077FG16 ,  4G077HA06 ,  4G077HA11

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