特許

J-GLOBAL ID：200903074290111144

ガンダイオード及びその製造方法

発明者： 小川 元一
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-257014
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107338
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 ガンダイオードを形成するガリウム砒素基板を研磨しなければならず生産性と歩留まりが低下し、また高価なダイアモンドヒートシンクを用いなければならず、さらにカソード電極とアノード電極を別々の工程で形成しなければならないという問題があった。【解決手段】 シリコン基板1上に、第一のn+ 型ガリウム砒素層3、n型ガリウム砒素層4、第二のn+ 型ガリウム砒素層5を順次積層して設け、この第一のn+ 型ガリウム砒素層3にアノード電極7を接続して設けると共に、第二のn+型ガリウム砒素層5にカソード電極6を接続して設ける。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に、第一のn+ 型ガリウム砒素層、n型ガリウム砒素層、第二のn+ 型ガリウム砒素層を順次積層して設け、この第一のn+型ガリウム砒素層にアノード電極を接続して設けると共に、第二のn+ 型ガリウム砒素層にカソード電極を接続して設けたガンダイオード。