特許
J-GLOBAL ID:200903074292792513
薄膜コンデンサ
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三好 秀和 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-131130
公開番号(公開出願番号):特開平5-326839
出願日: 1992年05月22日
公開日(公表日): 1993年12月10日
要約:
【要約】【目的】 容量の経時変化及びリーク電流の電圧極性依存性を低減し得る薄膜コンデンサを提供することを目的とする。【構成】 バイアス電圧を負電圧から正電圧へ上昇させたときに容量が最大となるバイアス電圧をVCMAX+ とし、逆に前記バイアス電圧を正電圧から負電圧に低下させたときに容量が最大となるバイアス電圧をVCMAX- としたときに、|VCMAX+ -VCMAX- |≦0.3かつ、-0.3≦VCMAX+ ≦0.3-0.3≦VCMAX- ≦0.3 (単位はV)を満足することを特徴とする。
請求項(抜粋):
膜厚350nm以下の高誘電率薄膜を介して下部電極と上部電極とが対向形成されてなる薄膜コンデンサにおいて、前記下部電極と上部電極間に印加されるバイアス電圧を負電圧から正電圧へ上昇させたときに容量が最大となるバイアス電圧をVCMAX+ とし、逆に前記バイアス電圧を正電圧から負電圧に低下させたときに容量が最大となるバイアス電圧をVCMAX- としたときに、|VCMAX+ -VCMAX- |≦0.3かつ、-0.3≦VCMAX+ ≦0.3-0.3≦VCMAX- ≦0.3 (単位はV)を満足することを特徴とする薄膜コンデンサ。
IPC (3件):
H01L 27/04
, H01G 4/06 102
, H01B 17/62
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