特許

J-GLOBAL ID：200903074297694390

半導体装置の製造方法

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-329567
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177087
出願日： 1992年12月09日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 ウェハ保持に単極式静電チャックを用いた場合の後処理として必要な残留電荷除去を、Al系配線層のエッチング後のパッシベーションを兼ねて行う。【構成】 単極式静電チャック1上にウェハ4上を保持しながらAl系積層配線層をS2 Cl2 ガスを用いてエッチングした後、Heガスを処理チャンバへ導入してプラズマを生成させ、残留電荷を除去する。このときS2 Cl2 の残留分から解離生成する遊離のS(イオウ)が無バイアス条件下でウェハ4の全面に堆積する。このS堆積層によりAl系積層配線層のパターン断面が外部環境から遮断されるため、アフターコロージョンが防止できる。S堆積層はレジスト・アッシング時に同時に除去できるので、汚染源ではない。残留電荷除去にN2 プラズマを用いれば、ポリチアジル(SN)x 被膜によるパッシベーションも可能である。

請求項（抜粋）：

ドライエッチング装置のウェハ・ステージ上に単極式静電チャックを用いてウェハを吸着保持し、このウェハ上の被エッチング材料層を堆積性エッチング・ガスを用いてエッチングする第1の工程と、エッチング終了後に前記単極式静電チャックの残留電荷を除去する第2の工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記第2の工程では前記エッチングの結果に実質的に影響を与えない不活性ガスを前記ドライエッチング装置に導入してプラズマを生成させ、前記第1の工程で用いた前記堆積性エッチング・ガスの残留分から解離生成する堆積性物質を前記ウェハ上に堆積させて堆積物層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/68 ,  B23Q 3/15