特許

J-GLOBAL ID：200903074308061468

量子井戸の有効キャリヤ捕獲断面積を増大させるための要素を有する発光素子

発明者： デイビッド・ピー・ボア ,  マイケル・エイチ・レアリー ,  イン-ラン・チャン ,  ユーン-キュ・ソン ,  マイケル・アール・ティー・タン ,  テツヤ・タケウチ ,  ダニエル・チャンバーリン
出願人/特許権者： アジレント・テクノロジーズ・インク
代理人 (3件)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-122519
公開番号（公開出願番号）：特開2004-320038
出願日： 2004年04月19日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】 改善された特性温度及び微分量子効率を有する発光素子を提供する。【解決手段】 本発明の発光素子は、ガリウム砒素(GaAs)を含む第1の障壁層(202、302、402)及び第2の障壁層(201、301、401)と、第1と第2の障壁層の間に挟まれ、インジウムガリウム砒素窒素(InGaAsN)からなる量子井戸層(205、305、406)と、量子井戸層と第1の障壁層の間に挟まれ、GaAs及び他の元素を含む材料からなる第1の層(203、303、404)とを含み、第1の層の材料が、第1の障壁層のバンドギャップエネルギーと量子井戸層のバンドギャップエネルギーの間のバンドギャップエネルギーを有することを特徴とする。【選択図】 図2A

請求項（抜粋）：

それぞれガリウム砒素(GaAs)を含む第1の障壁層(202、302、402)及び第2の障壁層(201、301、401)と、 前記第1と第2の障壁層の間に挟まれ、インジウムガリウム砒素窒素(InGaAsN)からなる量子井戸層(205、305、406)と、 前記量子井戸層と前記第1の障壁層の間に挟まれ、GaAs及び他の元素を含む材料からなる第1の層(203、303、404)とを含み、この第1の層の前記材料が、前記第1の障壁層のバンドギャップエネルギーと前記量子井戸層のバンドギャップエネルギーの間のバンドギャップエネルギーを有する発光素子(100)。

IPC (1件)：

H01S5/343

FI (1件)：

H01S5/343

Fターム (11件)：

5F173AC02 ,  5F173AC12 ,  5F173AF04 ,  5F173AF07 ,  5F173AF12 ,  5F173AF13 ,  5F173AF15 ,  5F173AG18 ,  5F173AH04 ,  5F173AR23 ,  5F173AR75