特許
J-GLOBAL ID:200903074311667547

基板処理方法及びその装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉谷 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-233324
公開番号(公開出願番号):特開2007-049022
出願日: 2005年08月11日
公開日(公表日): 2007年02月22日
要約:
【課題】 反応による処理液の昇温を抑制することにより、処理液の取り扱いが容易で、部材に対して悪影響が及ぶ恐れがない基板処理装置を提供する。【解決手段】 配管35からの硫酸と配管41からの純水を混合して混合槽29において希硫酸を予め生成しておき、ノズル19及び配管49により、過酸化水素水と混合槽29からの希硫酸を処理槽1に供給して処理液を生成し、これに基板Wを浸漬させて処理を行う。混合槽29で予め生成しておいた希硫酸と、過酸化水素水とを混合して処理液を生成するので、急激な反応を抑制でき、反応による処理液の昇温を抑制できる。したがって、処理温度への温調を行う場合でも容易に行うことができるので、処理液の取り扱いが容易であり、想定外の温度上昇が生じないので、処理槽1等の部材に対して悪影響が及ぶ恐れがない。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
硫酸と過酸化水素水を含む処理液により基板を処理する基板処理方法において、 純水と硫酸とを混合し、所定濃度の希硫酸を生成する第1生成過程と、 前記第1生成過程により生成された希硫酸と過酸化水素水とを混合して処理液を生成する第2生成過程と、 基板を収容する処理部において、前記第2生成過程により生成された処理液により基板を処理する処理過程と、 を有することを特徴とする基板処理方法。
IPC (1件):
H01L 21/304
FI (3件):
H01L21/304 642A ,  H01L21/304 647Z ,  H01L21/304 648G
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 洗浄装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-350950   出願人:ソニー株式会社
審査官引用 (2件)

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