特許
J-GLOBAL ID:200903074313428159

太陽電池及び太陽電池の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-138336
公開番号(公開出願番号):特開2000-340823
出願日: 2000年05月11日
公開日(公表日): 2000年12月08日
要約:
【要約】【課題】一体的な保護ダイオードを有する太陽電池と、この太陽電池の製造法とを、高い信頼性が同時に達成され、製造技術上のコストが低くて、ストリングの被いが追加のコストを全然要しないように、改善することである。【解決手段】発電する光電的に活性する層(36,38)と、基板(30)のフロント側の領域との間には、保護ダイオード(28)の直接領域に切り欠かれているトンネルダイオード(34)が延びていること、及び、基板(30)のフロント側の領域又はこの基板に載せられたか基板から形成されたフロント側の層であって、フロント側の光活性層(38)と対応する極性を有するフロント側の層は、部分的に、保護ダイオード(28)の少なくとも1つのダイオード半導体層であること。
請求項(抜粋):
太陽電池と逆方向の極性を有し、少なくとも1つのダイオード半導体層(32,76,108)を含む一体的な保護ダイオード(28)を具備する太陽電池(28,68,108)であって、この太陽電池は、少なくとも1つのリアコンタクト(52)と、フロント側及び基板側の少なくとも1つの層を含みかつ種々の極性を有する複数の光活性層(36,38;78,80;82,84;112,114)用の支持体としての基板(30,70,102)と、フロントコンタクト(50,116)とを有し、前記保護ダイオードは前記太陽電池に統合されており、太陽電池のフロント側に設けられてなる太陽電池において、発電する光電的に活性する前記光活性層(36,38,78,112,114)と、前記基板(30,70,102)の、フロント側の領域との間には、前記保護ダイオード(28)の直接領域に切り欠かれているトンネルダイオード(34,86,110)が延びていること、及び、前記基板(30,70,102)のフロント側の領域又は、この基板に載せられたか前記基板から形成されたフロント側の層(32,74,108)であって、フロント側の光活性層(38,80,84,114)と対応する極性を有するフロント側の層は、部分的に、前記保護ダイオード(28)の前記少なくとも1つのダイオード半導体層であること、を特徴とする太陽電池。

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