特許

J-GLOBAL ID：200903074314118781

半導体発光装置の製造方法

発明者： 本多 由明 ,  田中 義光
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 松本 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-104989
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299766
出願日： 1992年04月23日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザの如き半導体発光装置の製造上における量産性やバラツキの問題を改善することを課題とする。【構成】 活性層3にクラッド層2,4が重ね合わされてなる半導体多層体aの側端面Aに反射膜8が設けられている半導体発光装置を製造するにあたり、基板1の上に前記活性層用半導体膜およびクラッド層用半導体膜を積層形成してから、積層形成した半導体膜の表面における半導体多層体用域をマスク10で覆っておいて、前記半導体多層体における側端面が現れるようにエッチングで未マスク域を堀り込んだ後、現れた側端面に反射膜を形成するようにすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

活性層にクラッド層が重ね合わされてなる半導体多層体の側端面に反射膜が設けられている半導体発光装置の製造方法において、基板の上に前記活性層用半導体膜およびクラッド層用半導体膜を積層形成してから、積層形成した半導体膜の表面における半導体多層体用域をマスクで覆っておいて、前記半導体多層体における側端面が現れるようにエッチングで未マスク域を堀り込んだ後、現れた側端面に反射膜を形成するようにすることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。